Numărul de produs al producătorului:
IPD16CN10N G
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD16CN10N G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 53A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12801090
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD16CN10N G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
53A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3220 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD16C
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD16CN10N G-DG
IPD16CN10NG
SP000096454
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDD86102LZ
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
20852
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDD86102LZ-DG
PREȚ UNIC
0.62
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOS
BSP716NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
